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 「高歩留まりで生産可能だ」。米インテル(Intel)が22nm世代のFinFETプロセス(22FFL)向けのロジック埋め込み用不揮発性メモリRRAM(resistive RAM)技術を半導体技術/回路の国際会議「2019 Symposium on VLSI Technology/Circuits(VLSIシンポジウム 2019)」(2019年6月9日~14日:京都)で発表した。今後高成長が期待できるIoT(Internet of Things)端末向け半導体やFPGA、オンチップのブート・データ・ストレージを備えたチップセットなどへの埋め込み(混載)を狙う。

論文発表の様子
論文発表の様子
(写真:日経 xTECH)
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 今回インテルが発表したRRAMは、抵抗変化型メモリーと呼ばれ、メモリー・セルの高抵抗状態と低抵抗状態で情報を記憶する、ランダムアクセス可能な不揮発性メモリーである。22FFLは、IoT(Internet of Things)端末やモバイル、RFアプリケーションなどに向けた超低消費電力、低コストを狙った製造プロセスである。Fin FET向けのRRAM技術が発表されたのは世界で初めてとする。

 インテルは、今回のRRAMをロジック埋め込み向けNORフラッシュメモリー代替の候補と位置付ける。ロジック埋め込み用のNORフラッシュメモリーは既に車載マイコンなどで実用化されているが、微細化への対応に難しさがある。現状での微細プロセスとしては40nmプロセスへの混載が主流であり、次世代の28nmプロセス向けの技術も発表されているが、その先どこまで微細化に対応できるかは不透明である。ロジック・プロセスとの乖離が目立っている格好だ。