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容量を2倍にする新技術も

 加えて、大容量化に向けた新技術として「split memory cell」技術を紹介した。その名の通り、メモリセルを分割し、容量を2倍にするというもの。この技術は、東芝メモリの3D NANDフラッシュメモリー「BiCS FLASH」の「第7世代か第8世代で導入するかもしれない」(大島氏)という。3D NANDメーカーは一般に、積層数で世代を表現する。東芝メモリであれば、現行製品は第4世代で96層品である。「積層数の詳細は明かせないが、5~7世代までの積層数の実現は見えている。split memory cellを導入するなら、7~8世代あたりではないか」(同氏)とみる。

「split memory cell」技術の概要。スライドは東芝メモリ(撮影:日経 xTECH)
「split memory cell」技術の概要。スライドは東芝メモリ(撮影:日経 xTECH)
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「BiCS FLASH」などフラッシュメモリー技術のロードマップ。スライドは東芝メモリ(撮影:日経 xTECH)
「BiCS FLASH」などフラッシュメモリー技術のロードマップ。スライドは東芝メモリ(撮影:日経 xTECH)
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