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 ソニーが、新型メモリーの製品化に向けて動き出している。それが、ソニーセミコンダクタソリューションズが開発中の抵抗変化型メモリー(ReRAM)だ。NANDフラッシュメモリーより高速で、DRAMとNANDフラッシュメモリーのギャップを埋める不揮発性メモリーである「ストレージ・クラス・メモリー(SCM)」に向ける。SCM向けReRAMが製品化されれば、ソニーグループにとって新しいカテゴリーの製品、すなわち新規事業になる。

 製品化を目指しているのは、ソニーセミコンダクタソリューションズが開発した、集積化に向くクロスポイント構造のReRAMを基にする。2017年6月に半導体(VLSI)関連の国際会議「2017 Symposium on VLSI Technology」(VLSIシンポジウム)で、100Gビット級の集積化が可能とする技術として発表済みである(関連記事)。フラッシュメモリー関係の世界最大級のイベント「Flash Memory Summit(FMS) 2019」(2019年8月6~8日、米国サンタクララ)では、ReRAM向けのドライバー技術を発表するなど、製品化に向けて開発が進んでいる様子がうかがえた。

ソニーが開発した、100Gビット級の集積化が可能とするReRAMのセル構造(出典:日経エレクトロニクス2017年8月号)
ソニーが開発した、100Gビット級の集積化が可能とするReRAMのセル構造(出典:日経エレクトロニクス2017年8月号)
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