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 パワー半導体最大手のドイツInfineon Technologies(インフィニオンテクノロジーズ)が、SiC(シリコンカーバイド)で攻勢をかける。2025年を目標に、口径200mm(8インチ)のSiC基板(ウエハー)で、電力損失の低減に向くSiCパワー半導体素子(以下、パワー素子)を量産する。2020年9月24日に開催したパワー半導体関連のイベント「NE先端テクノロジーフォーラム」(主催:日経エレクトロニクス)でビデオ講演した同社のPeter Friedrichs(ピーター・フレドリッヒ)氏が明かした。同氏によれば、既に200mmウエハー対応の製造ラインの整備は完了しており、25年ごろに量産を開始できる見込みだという。

ビデオ講演するInfineonのFriedrichs氏
ビデオ講演するInfineonのFriedrichs氏
(出所:Infineonのビデオ講演をキャプチャーしたもの)
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 SiCパワー素子はSiパワー素子に比べて損失が小さく、耐圧600~6.5kVといった中耐圧から高耐圧での利用に向く。こうした耐圧で、現在主に利用されているのはSi IGBTである。Si IGBT の製造では、Infineonは300mmウエハーでの量産を始めているものの、主流は200mmウエハーである。一方、SiCパワー素子では、150mm(6インチ)ウエハーの量産が主流。口径サイズでSiCパワー素子がSiパワー素子をキャッチアップしたかたちだ。200mmと口径を拡大することでスループット(生産性)を高めて、SiCパワー素子のコスト削減を図る。