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パワー半導体素子を作製した300mmウエハー（写真：日経クロステック）
パワー半導体素子を作製した300mmウエハー（写真：日経クロステック）
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　SUMCOは、パワー半導体向けに口径300mmの新しいシリコン（Si）ウエハーを2023年に量産する。従来品に比べて特性を改善したことで、自動車や再生可能エネルギー、産業機器などで利用されるパワー半導体のコスト削減と供給の安定につなげる。

　パワー半導体が活躍する場面が増えており、今後も需要拡大が見込める。そこで、欧米のパワー半導体メーカーを中心に、300mmウエハーラインを強化する動きが盛んだ。遅ればせながら日本メーカーも300mm化へとアクセルを踏み始めた。

　特に需要が伸びると目されているのが、電気自動車（EV）や再生可能エネルギー、産業機器などで多用されるIGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）である。現在、IGBTの製造では口径200mmの「FZ（Floating Zone）法」で作製したSi結晶から切り出すFZ基板を利用するのが主流だ。だが、FZ法で口径300mm品を実現するのは技術的に非常に難しいという。