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 今回のコラムは、パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス2級(パワーエレクトロニクス)」の予想問題を紹介する(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 本稿で紹介するのは、半導体技術者検定エレクトロニクス2級(パワーエレクトロニクス)に関する問題の中から、LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)のドリフト領域に採用されるRESURF(Reduced Surface Field)構造である。この構造はドリフト層の表面電界を低減させるのに非常に有効であり、検定に合格するには、ぜひ正解しておきたい問題である。

 今回の問題の難易度は、★★★である(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。標準レベルの問題である。


【問題11】難易度:★★★

図1に示すNチャネルLDMOS(N-LDMOS)のRESURF効果を高める方法に関し、以下の中で正しいものを選びなさい。

  • (1)N-ドリフト層の厚み$t_{D}$を減らす。
  • (2)N-ドリフト層の長さ$L_{D}$を短くする。
  • (3)N-ドリフト層のドナー濃度$N_{DD}$を上げる。
  • (4)P-ウエルのアクセプタ濃度$N_{AW}$を下げる。

但し、各濃度は均一とする。

 図1  N-LDMOSの断面
図1  N-LDMOSの断面
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