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 今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス2級(パワーエレクトロニクス)」の予想問題を紹介する(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 本稿では、半導体技術者検定エレクトロニクス2級(パワーエレクトロニクス)の予想問題の中から、パワーデバイスの種類について問う。パワーデバイスにはいろいろな種類があり、各用途(電流と電圧の使用範囲、動作周波数など)に合わせてパワーデバイスを選定する必要がある。それには、パワーデバイスの機能ごとの分類を知っておく必要がある。検定に合格するためには、ぜひ正解しておきたい。

 今回の問題の難易度は★である(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。簡単なレベルの問題である。

【問題15】難易度:★

 パワーデバイスの分類を表1に示す。各デバイス欄のA~Fに入るデバイスに関して、以下の中で正しいものを選びなさい。

  • (1)A:ショットキーダイオード、B:PN接合ダイオードとPiNダイオード、C:パワーMOSFETとGaN HEMT、D:パワーバイポーラトランジスタ、E:IGBT、F:GTO
  • (2)A:PN接合ダイオードとPiNダイオード、B:ショットキーダイオード、C:パワーMOSFETとGaN HEMT、D:パワーバイポーラトランジスタ、E:IGBT、F:GTO
  • (3)A:PN接合ダイオードとPiNダイオード、B:ショットキーダイオード、C:パワーMOSFETとGaN HEMT、D:IGBT、E:パワーバイポーラトランジスタ、F:GTO
  • (4)A:ショットキーダイオード、B:PN接合ダイオードとPiNダイオード、C:パワーMOSFETとGaN HEMT、D:IGBT、E:パワーバイポーラトランジスタ、F:GTO
表1 パワーデバイスの分類
(出所:パワーデバイス・イネーブリング協会)
表1 パワーデバイスの分類
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