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 今回はパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス2級」の「応用と品質」分野の問題を紹介する。(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 本稿で紹介するのは、フラッシュメモリに関する基本的な問題である。半導体デバイスのなかでメモリは主役のひとつであり、大容量、高速、および低消費電力を追い求めてきた。なかでもフラッシュメモリは、不揮発性メモリの代表として私たちの身の回りで大活躍をしている。エレクトロニクス2級の応用と品質の分野では、各種メモリの基本的な理解が求められている。

 今回の問題はNAND型とNOR型フラッシュメモリの特徴を問う。難易度は★★である。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい。今回は簡単なレベルの問題なので、確実に回答してほしい。

【エレクトロニクス2級 応用と品質】
【問題14】難易度:★★

問題:

NAND型とNOR型のフラッシュメモリの一般的な比較や特徴で、以下の中から誤っているものを選びなさい。

(1)NOR型はバイト単位の高速なデータ読出しが可能である。

(2)NAND型はデータの大容量化に有利である。

(3)NAND型での連続アドレスへのデータ書込みが速い。

(4)SSD(Solid State Drive)には主にNOR型が使われている。