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 今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス2級(パワーエレクトロニクス)」の予想問題を紹介する。本稿ではパワーデバイスのガードリングについて問う。ガードリングはパワーデバイスチップの活性領域を囲んで耐圧低下を抑制する。検定に合格するためにはぜひ正解しておきたい。

 今回の問題の難易度は★である。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい。今回は易しいレベルの問題である。

【問題20】難易度:★

 パワーPiNダイオードのガードリングに関し、以下の中で正しいものを選びなさい。

  • (1)図1(a)に示すようにP+ガードリングを接地する。
  • (2)図1(b)に示すようにP+ガードリングをアノードに接続する。
  • (3)図1(c)に示すようにP+ガードリングをフローティングにする。
  • (4)図1(d)に示すようにN+ガードリングをフローティングにする。
図1 パワーPiNダイオードチップ活性領域外周のガードリング断面形状
図1 パワーPiNダイオードチップ活性領域外周のガードリング断面形状
(出所:パワーデバイス・イネーブリング協会)
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