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 今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス2級(パワーエレクトロニクス)」の予想問題を紹介する。本稿ではIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)のモジュール構成について問う。IGBTモジュールではIGBTとFWD(Free Wheeling Diode)がセットで組み込まれる。検定に合格するためにはぜひ正解しておきたい。

 今回の問題の難易度は★である。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい。今回はやさしいレベルの問題である。

【問題23】難易度:★

 図1に示す1 in 1のフィールドストップ(FS)IGBTモジュール構成に関して、以下の中で正しいものを選びなさい。

  • (1)FS-IGBTのエミッタ電極とFWDのカソード電極がAlワイヤで接続される。
  • (2)FS-IGBTのコレクタ電極とFWDのアノード電極がAlワイヤで接続される。
  • (3)FS-IGBTのエミッタ電極とFWDのアノード電極がAlワイヤで接続される。
  • (4)FS-IGBTのコレクタ電極とFWDのカソード電極がAlワイヤで接続される。
図1 1 in 1のFS-IGBTモジュール構成
図1 1 in 1のFS-IGBTモジュール構成
(出所:パワーデバイス・イネーブリング協会)
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