全1529文字
今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス3級」の予想問題を紹介する。本稿ではFinFET（フィン型電界効果トランジスタ）の構造に関して問う。FinFETは半導体プロセスの微細化の進める技術の一つとして先端の半導体プロセスで用いられている重要な技術である。
今回の問題の難易度は★★である。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数（難易度に応じて1～5個）で表しており、★の数が多いほど難しい。比較的簡単な問題なので、あわてずに是非正解してほしい。
【問題33】難易度：★★
下図のFinFETの構造における各部分の名称について、正しい組み合わせを（1）～（4）の中から選びなさい。
[画像のクリックで拡大表示]
- （1）ア：ソース イ：ゲート ウ：シリコン基板
- （2）ア：ソース イ：ゲート ウ：酸化膜
- （3）ア：ゲート イ：ソース ウ：酸化膜
- （4）ア：ゲート イ：ソース ウ：シリコン基板
