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 今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス3級」の予想問題を紹介する。本稿では次世代メモリに関して問う。半導体集積回路の用途が急速に広がる中で、多様化するニーズに対応するためのキーデバイスの一つとして、次世代メモリへの関心が高まっている。DRAMやSRAM、さらにはフラッシュメモリまでも置き換える可能性があり、基本的な知識を持っておいて役に立つデバイスである。

 今回の問題の難易度は★★★★。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい。今回はやや難しい問題ではあるが、よく考えて正解してほしい。

【問題34】難易度:★★★★

 新たな不揮発性メモリである次世代メモリの説明に関して、以下の中で正しいものを選びなさい。

  • (1) ReRAMは抵抗変化型メモリとも呼ばれる不揮発性メモリであり、電圧印加による抵抗変化を利用しているため低消費電力であるが、構造が複雑であるため高密度化が難しい点が課題である。
  • (2) PCMは相変化メモリとも呼ばれる不揮発性メモリであり、高密度化が容易であるとともに従来プロセスとの整合性も良いが、熱に弱いため寿命が短い点が課題である。
  • (3) MRAMは磁気抵抗メモリとも呼ばれる不揮発性メモリであり、SRAMと比較してセルサイズが小さく待機時消費電力も少ないが、周囲の磁界の影響を受ける点が課題である。
  • (4) FeRAMは強誘電体メモリとも呼ばれる不揮発性メモリであり、フラッシュメモリと比べると高速アクセスが可能であるが、書込み可能な回数が少ない点が課題である。