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　今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス2級（パワーエレクトロニクス）」の予想問題を紹介する。本稿ではパワーMOSFETのデータシートに記載されている入力容量$C_{iss}$、出力容量$C_{oss}$、帰還容量$C_{rss}$が、寄生容量とどう関係するかを問う。いずれの容量もパワーMOSFETのスイッチング特性（動特性）に影響するため、これらの関係を押さえておく必要がある。検定に合格するためにはぜひ正解しておきたい。

　今回の問題の難易度は★★である。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数（難易度に応じて1～5個）で表しており、★の数が多いほど難しい。今回はやや易しいレベルの問題である。

【問題27】難易度：★★

　パワーMOSFETのデータシートに記載されている入力容量$C_{iss}$、出力容量$C_{oss}$、帰還容量$C_{rss}$と図1に示す寄生容量との関係に注目して、以下の中で正しいものを選びなさい。

  • （1）$C_{iss}$=$C_{GS}$、　　　　$C_{oss}$=$C_{DS}$、　 　 　 $C_{rss}$=$C_{GD}$
  • （2）$C_{iss}$=$C_{GS}$+$C_{GD}$、　 $C_{oss}$=$C_{DS}$+$C_{GD}$、 　 $C_{rss}$=$C_{GD}$
  • （3）$C_{iss}$=$C_{GS}$、 　 　　 $C_{oss}$=$C_{DS}$、　　　 　$C_{rss}$=$C_{GD}$+$C_{DS}$
  • （4）$C_{iss}$=$C_{GS}$+$C_{GD}$、　 $C_{oss}$=$C_{DS}$、　　　　 $C_{rss}$=$C_{GD}$
<I>C<sub>GS</sub></I>：ゲート・ソース間容量、<I>C<sub>GD</sub></I>：ゲート・ドレイン間容量、<I>C<sub>DS</sub></I>：ドレイン・ソース間容量
CGS：ゲート・ソース間容量、CGD：ゲート・ドレイン間容量、CDS：ドレイン・ソース間容量
図1　パワーMOSFETの寄生容量
（出所：パワーデバイス・イネーブリング協会）