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 今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス3級」の予想問題を紹介する。本稿では3Dデバイスに関して問う。LSIチップの2次元的な集積度の限界を突破するための3Dデバイスは、フラッシュメモリなどのデバイス高集積化に貢献する重要な技術である。その構成方法にはさまざまな種類がある。

 今回の問題の難易度は★★である。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい。それほど難しい問題ではないので、じっくりと考えて正解してほしい。

【問題38】難易度:★★

 次の文章を読んで( )内に入る正しい言葉の組み合わせを(1)~(4)の中から選びなさい。

 3Dデバイス(3次元デバイス)は、複数のLSIチップを( ア )( イ )に相互結線したものです。主な3D実装技術としては、積層MCP、PoP、CoC、( ウ )を用いたMCPなどがあります。

  • (1)ア:積み重ねて  イ:垂直  ウ:TSV
  • (2)ア:並べて  イ:水平  ウ:Siインターポーザ
  • (3)ア:並べて  イ:水平  ウ:TSV
  • (4)ア:積み重ねて  イ:垂直  ウ:Siインターポーザ