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　今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス2級（パワーエレクトロニクス）」の予想問題を紹介する。縦型パワーデバイスのウエハプロセスには、LSIの場合と異なるウエハ裏面プロセスがある。これが縦型パワーデバイスプロセスを特徴づけている。検定に合格するためにはぜひ正解しておきたい。

　今回の問題の難易度は★★★である。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数（難易度に応じて1～5個）で表しており、★の数が多いほど難しい。今回は標準レベルの問題である。

【問題29】難易度：★★★

　縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセスに関し、以下の中で正しいものを選びなさい。

（1）ウエハの裏面不純物ドーピング層の活性化に高温熱処理炉を使う。

（2）ウエハの裏面不純物ドーピング層を活性化後、表面にメタル配線を行う。

（3）ウエハの裏面電極には、Ti／Ni／Auの積層膜が多く用いられる。

（4）Siを材料とする1200VクラスのFS（Field Stop）-IGBTでは、ウエハの裏面を研削してウエハ厚を50μm程度にする。