全1429文字
PR

 今回のコラムはパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体技術者検定エレクトロニクス3級」の予想問題を紹介する。

 本稿ではメモリデバイスの試験対象となる不良に関して問う。近年では、メモリデバイスはコンピュータをはじめとする多種多様な電子機器で重要な役割を果たしている。このようなメモリデバイスでは、ロジックデバイスと異なるさまざまな不良を考える必要がある。

 今回の問題の難易度は★★である。本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい。それほど難しくない問題なので、しっかりと正解してほしい。

【問題39】難易度:★★

次の文章を読んで( )内に入る正しい言葉の組み合わせを(1)~(4)の中から選びなさい。

メモリデバイスにおいて、あるメモリセルにデータを書き込んだとき、あるいは、メモリセルからデータを読み出したときに、( ア )のメモリセルのデータが変化する現象のことを( イ )という。

  • (1) ア:周囲   イ:セル間干渉
  • (2) ア:周囲   イ:セルスタック
  • (3) ア:すべて  イ:セル間干渉
  • (4) ア:すべて  イ:セルスタック