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60V耐圧、2A電流

　DMOS-CMOS混載ASIC製品の第1弾は「S1X8H000／S1K8H000」である。S1X8H000はマスタースライス方式で製造するエンベデッドアレー（シー・オブ・ゲートや全面敷き詰め型ゲートアレーとも呼ぶ）で、S1K8H000はフルカスタム方式で製造する（全層を新規に製造する）セルベースIC（スタンダードセルICとも呼ぶ）である。両製品とも、CMOSトランジスタは0.15μm（150nm）のプロセス（配線層）で、DMOSトランジスタはNMOS／PMOSの耐圧が60V／40Vのプロセスで製造する。DMOS電流は2Aである。顧客からの要望が強ければ、耐圧を上げた製品も用意するという。

DMOS-CMOS混在ASICは2製品を用意
DMOS-CMOS混在ASICは2製品を用意
（出所：セイコーエプソン）
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「S1X8H000／S1K8H000」の主な仕様
「S1X8H000／S1K8H000」の主な仕様
（出所：セイコーエプソン）
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