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60V耐圧、2A電流

 DMOS-CMOS混載ASIC製品の第1弾は「S1X8H000/S1K8H000」である。S1X8H000はマスタースライス方式で製造するエンベデッドアレー(シー・オブ・ゲートや全面敷き詰め型ゲートアレーとも呼ぶ)で、S1K8H000はフルカスタム方式で製造する(全層を新規に製造する)セルベースIC(スタンダードセルICとも呼ぶ)である。両製品とも、CMOSトランジスタは0.15μm(150nm)のプロセス(配線層)で、DMOSトランジスタはNMOS/PMOSの耐圧が60V/40Vのプロセスで製造する。DMOS電流は2Aである。顧客からの要望が強ければ、耐圧を上げた製品も用意するという。

DMOS-CMOS混在ASICは2製品を用意
DMOS-CMOS混在ASICは2製品を用意
(出所:セイコーエプソン)
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「S1X8H000/S1K8H000」の主な仕様
「S1X8H000/S1K8H000」の主な仕様
(出所:セイコーエプソン)
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