東芝がSiCトランジスタの構造を改良、+175℃で電流量が2倍に

今回のSiC MOSFETの構造と特性 図中の右上が今回の素子構造。下方にある特性のグラフで、「Developed」が今回改良した構造のMOSFET、「Conventional」が昨年(2020年)に発表した改良前構造のMOSFET、「MOS FET w/o SBD」が旧来構造のMOSFET。左下が特性オン抵抗(R<sub>on</sub>A)の比較で、今回の構造改良により20%低減している。右下が逆方向導通可能電流量(Reverse conductive current)の比較で、今回の構造改良により2倍になっていることが分かる。(出所:東芝デバイス&ストレージ)
今回のSiC MOSFETの構造と特性
図中の右上が今回の素子構造。下方にある特性のグラフで、「Developed」が今回改良した構造のMOSFET、「Conventional」が昨年(2020年)に発表した改良前構造のMOSFET、「MOS FET w/o SBD」が旧来構造のMOSFET。左下が特性オン抵抗(RonA)の比較で、今回の構造改良により20%低減している。右下が逆方向導通可能電流量(Reverse conductive current)の比較で、今回の構造改良により2倍になっていることが分かる。(出所:東芝デバイス&ストレージ)

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