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 オランダNXP Semiconductors(NXPセミコンダクターズ)は、Sub-6GHz帯5G通信無線子局のRFフロントエンドに向けて、新たなパワーアンプ(Power Amp:PA)マルチチップモジュール(以下、PAモジュール)を開発した ニュースリリース 。出力段にGaNトランジスタを採用したPAモジュールで、2.6GHz時の効率が52%と、出力段がLDMOSトランジスタの同社従来製品に比べて8ポイント高めた。

開発したPAモジュールの特徴
開発したPAモジュールの特徴
(出所:NXP Semiconductors)
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 同社は2020年9月にGaN専用の工場を米国アリゾナ州に開設するなど ニュースリリース 、GaNに力を入れているという。今回開発のPAモジュールには同工場で製造するGaNトランジスタを使う。開発品は、FDD(Frequency Division Duplex)方式の帯域(1.8G~2.2GHz)でもTDD(Time Division Duplex)方式の帯域(3.4G~3.8GHz)でも帯域幅は400MHzと広い。また、自社製のバイアスコントローラーICを取り込み、RFフロントエンド全体の小型化を図れるようにした。同社の既存PAモジュールでは、他社のバイアスコントローラーICを外付けしていた。高い効率と小型化によって、開発品は、マッシブMIMOに対応した無線子局に最適だという。21年第3四半期中にサンプル出荷を開始、同年下期中に量産を開始予定。

米国アリゾナ州に開設したGaN専用工場の内部
米国アリゾナ州に開設したGaN専用工場の内部
(出所:NXP Semiconductors)
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