Intel次期MPUへのAMD対抗策、Hot Chips 33の講演から占う

図7●L3キャッシュを3倍に 「3D Vキャッシュ」と呼ぶ技術で、CCXの32MバイトのL3キャッシュの真上に、64MバイトSRAMダイを積む。これでCCXあたりのL3キャッシュを最大96Mバイトに増加できる。図中のCCDはCore Complex Dieの略で、CCXを集積したダイのこと。1つのダイに1つのCCXが搭載されているので、基本的に同じ。図中で半透明なものは、高さをそろえるためのシリコン製インターポーザーである。(出所:AMD)
図7●L3キャッシュを3倍に
「3D Vキャッシュ」と呼ぶ技術で、CCXの32MバイトのL3キャッシュの真上に、64MバイトSRAMダイを積む。これでCCXあたりのL3キャッシュを最大96Mバイトに増加できる。図中のCCDはCore Complex Dieの略で、CCXを集積したダイのこと。1つのダイに1つのCCXが搭載されているので、基本的に同じ。図中で半透明なものは、高さをそろえるためのシリコン製インターポーザーである。(出所:AMD)

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