SiCは材料からモジュールまで手掛ける
SiCを利用したパワー半導体素子（以下、パワー素子）は、従来のSi（シリコン）パワー素子に比べて損失が小さく、耐圧600～6.5kVといった中耐圧から高耐圧での利用に向く。この耐圧範囲で、特に近年期待されている用途が、ハイブリッド車や電気自動車（EV）といった電動車両への応用である。電動車両の駆動用モーターを制御するインバーターや車載充電器などで、「今後3～4年かけて、Siパワー素子からSiCパワー素子への切り替えが進んでいくだろう。中でもEVにとってSiCは非常に重要」（エルコーリー氏）。
そこで、SiCの研究開発に力を入れる。SiC結晶から同結晶を切り出して作る基板（ウエハー）、ウエハー上に作製するパワー素子、同素子を収めたパワーモジュールまで、パワーデバイス企業として「垂直統合」でSiC事業を展開する構え。オンセミは16年に米Fairchild Semiconductor（フェアチャイルドセミコンダクター）の買収を完了した。SiCパワー素子や同素子で構成したパワーモジュールの研究開発体制や製品ラインアップなどを拡充した。
さらに21年8月にはSiC結晶技術を有する米GT Advanced Technologies（GT アドバンスト・テクノロジーズ）を買収すると発表した。SiCの結晶成長技術やウエハー技術の強化を図る。次の5～10年に向けて、SiCウエハーやパワー素子、モジュールの製造能力の拡大に引き続き投資していくという。
Siパワー素子に関しては、同素子にとって大きい口径300mm（12インチ）のウエハーでの製造に今後2～3年かけて本格的に移行していく方針を示した。オンセミは19年に、米国ニューヨーク州にある米GlobalFoundries（グローバルファウンドリーズ）の300mmウエハーの製造拠点を買収している。SiCのウエハーのサイズも今後、拡大させたいとしている。
