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NA 0.55のEUV露光装置を導入

 今回のオハイオ州への投資は、21年3月に発表した製造戦略「IDM 2.0」の取り組みの一環である。発表の際に、200億米ドルを投じてアリゾナ州の拠点に新たに2つの工場を建設すると発表している。同年9月に着工しており、24年の稼働を見込む。Intel 20Aなどでの生産を担う工場である。

 インテルは、オングストローム時代の先端プロセスに向けて、極端紫外線(EUV)露光の導入に積極的である。例えば、22年1月19日には、オランダASML Holdingに対して、同社のEUV露光装置「TWINSCAN EXE:5200」を発注したと明らかにした。高解像度を狙った高い開口率(NA)の装置で、毎時200枚超のウエハーを処理できるという。NAは0.55で、従来は0.33だった。これにより、高NA装置による製造を25年から開始できる見通しが立ったと説明している。オハイオ州の新工場に導入するとみられる。

 加えて同日に、「Fab 34」として70億米ドルを投じてアイルランドに建設中の新工場に「リソグラフィー・レジスト・トラック」と呼ばれる製造装置を納入したと明らかにした。EUV露光装置と連動する。なお、Fab 34が23年に稼働すれば、アイルランドにおける生産能力は約2倍となり、「Intel 4」プロセスによる製造が可能になるという。