東芝デバイス＆ストレージは、2023年にGaNデバイス市場へ参入の予定である。同市場での差異化に向けた新たな回路技術を同社が開発した ニュースリリース 。この回路技術を使うことでGaNトランジスタベースの電源回路に必要な部品点数を減らせるため、SiCデバイスに比べて電源を小型化できるというGaNデバイスの特徴を際立たせることができるとする。
実用化で先行したSiCデバイスに続き、パワー半導体メーカー各社がGaNデバイスの開発に取り組んでいる。GaNデバイスはSiCデバイスに比べてスイッチング周波数を高くすることができ、電源回路を小型化できるなどの利点がある。市場にはGaNデバイスをすでに投入済みのメーカーが複数あり、今後も参入メーカーは増えることが予想される。
東芝デバイス＆ストレージは、現在販売中のSiCデバイスに加えて23年にノーマリーオン型のGaNデバイスの発売を予定している。競合の多い市場での差異化に向けて、同社は新たな回路技術を開発した。今回開発したのは、電力変換器（DC-DCコンバーターやAC-DCインバーターなど）やモータードライバーなどで使うハーフブリッジ（トランジスタ（スイッチ）2個を直列接続した回路）の出力電流を計測するための回路である。
従来は、シャント抵抗と呼ばれる抵抗器を外付けして電流を測定していた。今回、GaNトランジスタにカスコード接続した低耐圧MOSFET（シャントMOSFET）のオン抵抗を使って電流を検出する回路を開発した。低耐圧MOSFETはGaNトランジスタと同じパッケージに収めることが可能なため、電力変換器やモータードライバー回路全体を小型化できる。従来4個の部品（パッケージ）が必要だった回路（ハーフブリッジと電流検出回路）を、開発した技術によって2個に減らせる。
