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東芝デバイス＆ストレージは、インテリジェントパワーMOSFET（図1）の新製品を2つ発売した ニュースリリース 。産業機器のモーターやソレノイド、ランプといった、いわゆる誘導性負荷の駆動・制御に使う（図2）。この用途に向けて1999年に発売した製品（以下、従来品）の後継であり、24年ぶりの新製品となる。
図1 新製品のインテリジェントパワーMOSFETはIPD（Intelligent Power Device）の一種
パワーMOSFETやIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワー半導体素子と制御回路を1チップ化（モノリシック化）したICをIPDと呼んでいる（画像：東芝デバイス＆ストレージ）
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図2 新製品のパッケージと応用先のイメージ
（画像：東芝デバイス＆ストレージ）
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新製品は、ハイサイドスイッチ向けで8チャネル構成の「TPD2015FN」（図3）と、ローサイドスイッチ向けで8チャネル構成の「TPD2017FN」（図4）の2つであり、それぞれ従来品の「TPD2005F」と「TPD2007F」の後継である。従来品はBiCMOS+PMOSプロセスで製造していたが、新製品は最近のパワー半導体向け主力プロセス「Bipolar CMOS DMOS：BiCD」で造る（BiCDには複数の種類があり、新製品はBiCD-0.6で造る）。BiCDプロセスでの製造により、出力段のオン抵抗を0.4Ω（標準値）と従来品の2分の1以下に低減させた。
図3 ハイサイドスイッチの構成（左）と新製品「TPD2015FN」の機能ブロック図（右）
（画像：東芝デバイス＆ストレージ）
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図4 ローサイドスイッチ構成（左）と新製品「TPD2017FN」の機能ブロック図（右）
（画像：東芝デバイス＆ストレージ）
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