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　京都大学発のベンチャー企業FLOSFIAとJSRは2023年3月15日、α酸化ガリウムと組み合わせて使用するｐ型半導体の新規成膜材料を開発したと発表した。従来材料では結晶成長速度や埋込性が悪く量産課題があったが、新規材料は成長速度が従来比で10倍以上、埋込性も改善したという。今回の材料によって、α酸化ガリウムの課題であったp型特性の発現に加え、量産に向けた課題解決の見通しがついたとする。

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