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　ルネサス エレクトロニクスは、マイコンに混載する不揮発性メモリー「STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリー）」を高速アクセスできる技術を開発した。今回の技術を使えば、現在マイコンに混載されている不揮発性メモリーのフラッシュメモリーと同等のスピードで、MRAMの読み出しを実行できる。フラッシュメモリーの混載が難しくなる22nm以降の微細プロセスでの実用化を狙う。

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