全595文字
名古屋工業大学、名古屋大学、住重アテックス（愛媛県西条市）の研究チームは、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体を劣化させる結晶欠陥の拡張を水素イオンの注入によって抑制した。半導体製造プロセスの前に水素イオンを注入することで、電気特性を劣化させずに積層欠陥の拡張を抑制できることを発見した。SiCパワー半導体の長期信頼性を高められるという。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
「初割」2/7締切迫る！
＞＞詳しくは
日経クロステックからのお薦め
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
