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 名古屋工業大学、名古屋大学、住重アテックス(愛媛県西条市)の研究チームは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を劣化させる結晶欠陥の拡張を水素イオンの注入によって抑制した。半導体製造プロセスの前に水素イオンを注入することで、電気特性を劣化させずに積層欠陥の拡張を抑制できることを発見した。SiCパワー半導体の長期信頼性を高められるという。

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