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東京大学大学院の瀧口耕介氏らの研究グループは、非磁性半導体と強磁性半導体から成る2層ヘテロ接合を作製し、新しい電子伝導現象を発見した。外部磁場の向きを反転させると電気抵抗が27％変化する巨大な奇関数磁気抵抗効果を観測した。物質中の「対称性の破れ」による特異な電子伝導現象であり、次世代量子デバイスなどの実現が期待できる。
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