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兵庫県立大学大学院の高橋龍之介氏らの研究グループは、ニッケル・コバルト酸化物薄膜にレーザー照射して磁気構造を変化させることに成功した。サンプル温度を380K（ケルビン）以上に上げ、レーザーパルスを同じ場所に蓄積させると、完全に磁化が反転する領域である全光型磁化スイッチング（AOS）リングを観測した。次世代の光磁気記録デバイスの開発につながる研究成果となる。
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