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 米Texas Instruments(TI)社は、+600V耐圧のGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタとゲートドライバーを集積した電力変換段(パワーステージ)ICを3製品発売した。3製品の内訳は、オン抵抗が50mΩ(標準値)で過電流保護機能を備えた「LMG3410R050」と、オン抵抗が70mΩ(標準値)で過電流保護機能を搭載した「LMG3410R070」、オン抵抗が70mΩ(標準値)でサイクル・バイ・サイクルの過電流保護機能を備えた「LMG3411R070」である。SiパワーMOSFETを使う場合に比べて、電力損失を80%削減できるという。100W出力から10kW出力の電源用途に向ける。具体的な用途としては、スイッチング電源(AC-DCコンバーター)やロボット、再生可能エネルギー対応機器、電力グリッド向けインフラ機器、通信機器などを挙げている。

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