パワー半導体最大手のドイツInfineon Technologies（インフィニオン・テクノロジー）は、エレクトロニクスの展示会「electronica 2018」（2018年11月13～16日、ドイツ・ミュンヘン）の開催前日に開かれたカンファレンス「electronica Automotive Conference」で、SiC MOSFETがどのような電動車両に向くのか、その見解を示した。登壇したのは、同社IFAG ATV HP IET, Automotive High Power, Innovation & Emerging Technologies, Vice PresidentのMark Münzer氏である。
講演するInfineonのMünzer氏（撮影：日経 xTECH）
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現在、ハイブリッド車（HEV）や電気自動車（EV）といった電動車両では、駆動用モーターを動かすインバーターにSi IGBTを利用することが主流になっている。そのSi IGBTに比べて、インバーターの電力損失を大幅に低減できるパワー素子がSiC MOSFETである。だが、Si IGBTに比べてコストが高い。
そこで、インバーターと2次電池を合わせた「システムコスト」として、SiC MOSFETとSi IGBTで、どちらが全体のシステムコストを下げられるのか、議論の的になっている。SiC MOSFETは、低損失な分、同じ航続距離ならば車載2次電池の容量を小さくできる。すなわち、電池容量の削減によるコストダウン分が、SiC MOSFETのコストアップ分を上回ってから、SiC MOSFETを適用する意味がある。
