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 米アデスト(Adesto Technologies)は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」(2月26日~28日)においてブースを構え、低消費電力のフラッシュメモリー「FusionHD」を発表した(ニュースリリース1)。一般的なフラッシュメモリーに比べて消費電力は70%低く、電池動作のIoTエッジ機器に最適だという。

Gideon Intrater氏(左)とGraham Loveridge氏(右)。日経 xTECHが撮影
Gideon Intrater氏(左)とGraham Loveridge氏(右)。日経 xTECHが撮影
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 AdestoのGraham Loveridge氏(Sr. Director Marketing, Memory Product Division)とGideon Intrater氏(Chief Technology Officer)にブースで話を聞いた。同社は米カリフォルニア州サンタクララに本社を構えるファブレス半導体メーカーである。創業は2006年でスタートアップではない。最初の製品は抵抗変化型メモリー(ReRAM)の1種の「CBRAM:Conductive Bridge RAM)」であり(関連記事)、CBRAMは現在も販売している。その後、複数の企業や部門を買収し、現在の顧客数は欧米を中心に2000社以上で、日本にも大手顧客がいるという。アプリケーションでは産業が最も売上高が多く、民生や通信、メディカルも強いとする。

 今回の新製品「FusionHD」は2014年にリリースした「Fusion」の大容量版に当たる。Fusion HDでは、最大32Mバイトの製品を用意する。このフラッシュメモリーでは、内蔵するSRAMバッファに工夫を凝らすことで、高速動作と低消費電力を両立させたという。このSRAMバッファーを使い、CPU(プロセッサーIC)からは256バイト単位で読み書きできるようにしながら、フラッシュ・メモリー・アレーへの読み書きは4Kバイト単位で行う。

FusionからFusionHDへ。Adestoのスライド
FusionからFusionHDへ。Adestoのスライド
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 Adestoによれば、FusionHDは、一般的なフラッシュメモリーより消費電力が70%低く、5倍高速な動作が可能だという。また、一般的なフラッシュメモリーとEEPROMの両方の役割を担えるため、プログラムコードの保存とデータロギングの両方に利用できるとのことだった。このほか、動作電源電圧が+1.7~3.6Vと広いため電圧変換用の部品が不要でBOMコストが低いことや、Quadインターフェースを備えていることで高速動作に向いているといった特徴もある。

プログラムコードにもデータにも適用可能。Adestoのスライド
プログラムコードにもデータにも適用可能。Adestoのスライド
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