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 米ON Semiconductor(オンセミ)社は、IGBTの駆動に向けた絶縁型ゲートドライバーICを開発し、2019年4月17日〜19日に千葉県幕張メッセで開催された「TECHNO-FRONTIER 2019」で展示した。コイル(インダクター)を使って絶縁バリアー層を構成する方法を採用した。ただし、コイルは1個だけではなく、2個組み合わせて、発生する電磁界を打ち消す工夫を施した。こうすることで「当社従来品に比べて、EMI(放射電磁雑音)の放射レベルを大幅に低減することが可能になった。EMI規格を大きな余裕を持ってクリアできる」(同社の説明員)という。

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