PR

 台湾積体電路製造(TSMC)は、エレクトロニクス/半導体設計の国際イベントである「56th Design Automation Conference:DAC 2019」(6月2~6日に米国ラスベガスで開催)の展示会にブースを構え、EUV(極端紫外線)を使う5nm FinFETプロセス(N5)で加工した試作ウエハーを展示した。ブースに居合わせた同社のThomas Quan氏(Ddirector of Open Innovation Platform Marketing)によれば、5nm FinFETの量産は2020年の中ごろに開始する予定である(関連ニューリリース1関連記事)。

ブース中央に置かれた5nm FinFETプロセス(N5)で加工した試作ウエハー。日経 xTECHが撮影
ブース中央に置かれた5nm FinFETプロセス(N5)で加工した試作ウエハー。日経 xTECHが撮影
[画像のクリックで拡大表示]

 展示されている試作ウエハーの横には、歩留まりをアピールするサインボードが置いてある。それによれば、SRAMとロジックは、それぞれ90%より大きい、80%より大きいという。さらに、スタンダードセルやメモリー、IPコアの整備状況も示されていた。Mobile Computing向け(消費電力優先向け)とHigh Performance Computing向け(性能優先向け)のどちらでも、ほぼ整備は完了しているようだ。

N5向けライブラリーの整備状況。TSMCのサインボード
N5向けライブラリーの整備状況。TSMCのサインボード
[画像のクリックで拡大表示]