組み込みフラッシュ代替が見えたか、TSMCが22nm世代MRAMで見せた本気

　「今までのMRAMの発表に比べて本気さを感じた」（大手外資系半導体メーカーのメモリー設計者）。今やメガファウンドリーに成長した台湾TSMCが「ISSCC 2020」で発表した、22nm世代の組み込み（埋め込み）用途向け32MビットSTT-MRAMの発表に対する反応である。

　TSMCは今回の発表の冒頭で、論理LSIに混載する組み込みフラッシュメモリーの問題点を次のように指摘した。「トランジスタでセルを構成するので、前工程のフロントエンドで製造する必要があり、論理LSIのプロセスに12枚の追加マスクが必要になる。加えて、ページ単位でしか書き込みできないという不便さがある」（TSMC）。

組み込みフラッシュメモリーの技術トレンド

（図：ISSCCから提供された講演スライド）

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　一方、STT-MRAMについてTSMCはこう利点を強調した。「前工程のバックエンド・プロセスでメモリーを製造できるので、論理LSIのプロセスに2～5枚の追加マスクで済む。加えて、バイト単位で書き換えできるのと、高速書き換えが可能なこと、書き換え可能回数も多く、データ保持特性も優れるといった特徴がSTT-MRAMにある」（TSMC）。

今回開発したSTT-MRAMセルの構造

（図：ISSCCから提供された講演スライド）

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