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　三菱電機は、同社従来品に比べてスイッチング損失を約30％低減したSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを6製品開発し、サンプル出荷を開始した。耐圧は＋1200V。ドレイン電流は製品によって異なり、38～102Aである。同社従来品で採用していた3端子TO-247パッケージを4端子TO-247パッケージに変更することでスイッチング損失を低減した。

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