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 東芝デバイス&ストレージは、同社の第3世代SiC MOSFETを2022年8月下旬から量産を始めた。同社は第3世代の試作素子を測定することによって、2020年8月下旬に量産を始めた第2世代品に比べて特性が向上することを確認した。例えば、MOSFETの単位面積当たりのオン抵抗(RonA)は約43%削減できた。

 同社は2021年12月に開かれた第16回 東芝技術サロン「カーボンニュートラル社会の実現に向けた東芝のパワー半導体技術の取り組み」において、SiCパワー半導体のロードマップを発表している(図1)。2年おきに新世代品を投入し、RonAを20%削減していくという目標を示した。今回の第3世代品では、43%の削減を確認しており、この目標は達成された。同社は第3世代品の第1弾として、耐圧650V品を5つ(オン抵抗(RDS(ON))は15m~107mΩ、標準値)と、同1200V品5つ(同15m~140mΩ、標準値)を提供する。データセンター/サーバーやEV(電気自動車)、太陽光発電装置などに向ける。

図1 SiC製品ロードマップ
図1 SiC製品ロードマップ
2021年12月に発表されたもの(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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