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2022年度に2nm世代半導体プロセスの要素技術獲得、EUV（極端紫外線）露光装置の導入着手─。経済産業大臣の西村康稔氏は2022年11月11日の会見で、次世代半導体の量産に向けた研究開発基盤を年内にも設立すると公表した。併せて、トヨタ自動車やソニーグループ（ソニーG）、NTTなどが出資する半導体新会社を設立し、2本柱で2nm世代の「2020年代後半の量産化」（西村大臣）を目指す。
研究開発基盤「LSTC（Leading-edge Semiconductor Technology Center）」が次世代半導体の基礎研究を、半導体新会社「Rapidus（ラピダス、東京・千代田）」が量産化を担う。ラピダスはソニーG、トヨタ自動車、デンソー、キオクシア、NTT、NEC、ソフトバンク、三菱UFJ銀行の計8社の出資で設立した会社。政府が同社に対し、700億円注1）の開発費を拠出する（図1）。
注1）政府は2021年度補正予算で「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」に計上した約1100億円のうちの700億円を充てる。
図1 2本柱で先端半導体製造を狙う
（出所：経済産業省）
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