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半導体回路技術のオリンピックとも呼ばれる国際学会「2023 International Solid-State Circuits Conference（ISSCC 2023）」（米国サンフランシスコ、2023年2月19日～23日）で、NANDフラッシュメモリーの技術が大きく前進する。ISSCCの極東委員会が2022年11月17日に東京で開催した事前会見で明らかにした。
具体的には、米Intel（インテル）が、1チップの容量が1.67Tビット、記録面密度が23.3Gビット/mm2という技術を発表する（図1）。
（a）不揮発性メモリーの容量の推移
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（b）NANDフラッシュメモリーの記録面密度の推移
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図1 容量と記録面密度でIntelが2冠
ISSCCが示した、ISSCC 2023のメモリー関連の技術トレンド。NANDフラッシュメモリーの1チップの容量は1.67Tビットに達した（a）。一方、記録面密度は23.3Gビット/mm2（2.91Gバイト/mm2）と前年の15.0Gビット/mm2を大幅に上回った（b）。両方ともIntelの成果で、“2冠”を達成した格好だ。記録密度の2位はSK hynixの20Gビット/mm2以上だった（出所：ISSCC）
1年前のISSCC 2022では容量1.33Tビット、記録面密度15.0Gビット/mm2という値がそれぞれ最高値だった注1）。後者は米Western Digital（WD）とキオクシアの発表である。今回、この2つの記録をIntel1社で大幅に更新した。
注1）今回の発表までの記録面密度の世界最高値は、2022年8月に中国Yangtze Memory Technologies（長江存儲科技、YMTC）が発表した15.2Gビット/mm2のNANDフラッシュメモリーだった。
Intelの技術の最大のポイントは多値度の高さだ。メモリーセル1つで5ビットを記録するPLC（Penta-Level Cell）を、ISSCCで発表されたNANDフラッシュメモリーとして初めて実装した。ただし、PLCは競合メーカー各社が研究しており、キオクシアのように7ビット/セルの技術を別の学会で発表した例もある。もっとも、7ビット/セルは液体窒素でセルを77K（－196℃）まで冷やす必要があり、特殊用途向けだ。
多値度を高めると一般にはデータ保持時間が短くなる。どこまで実用的な技術かどうか、詳細は実際の発表を待つ必要があるが、IntelがISSCCで発表するというのはかなりの自信の表れだろう。
