無線給電の実用化に向け、高効率化とコスト低減に挑む

図2 伝達特性 SiC pMOS素子とSiC nMOS素子の伝達特性である。埋め込みチャネル(EBC)を採用することで、SiC pMOS素子のゲートしきい値電圧が低下。その結果、SiC nMOS素子とSiC pMOS素子のスイッチング特性のバランスを確保できた。チャネル長は100µm、チャネル幅は150µm、ドレイン電圧は0.1Vである。(図:岡本氏)
図2 伝達特性
SiC pMOS素子とSiC nMOS素子の伝達特性である。埋め込みチャネル(EBC)を採用することで、SiC pMOS素子のゲートしきい値電圧が低下。その結果、SiC nMOS素子とSiC pMOS素子のスイッチング特性のバランスを確保できた。チャネル長は100µm、チャネル幅は150µm、ドレイン電圧は0.1Vである。(図:岡本氏)

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