GaNで変わるパワエレ機器、使いこなしの新課題に挑む

図3　2次側の損失分析 GaN FETの採用で導通損失を抑えた。ただし、ダイオードの導通損失が大きい。（図：三島氏）
図3　2次側の損失分析
GaN FETの採用で導通損失を抑えた。ただし、ダイオードの導通損失が大きい。（図：三島氏）

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