GaNで変わるパワエレ機器、使いこなしの新課題に挑む

図3 駆動電圧波形 (a)はSi製IGBTを採用したインバーターで駆動した場合。リンギングはほとんどない。(b)はGaN FETを採用したインバーターで駆動した場合である。比較的大きなリンギングが現れている。(図:藤崎氏)
図3 駆動電圧波形
(a)はSi製IGBTを採用したインバーターで駆動した場合。リンギングはほとんどない。(b)はGaN FETを採用したインバーターで駆動した場合である。比較的大きなリンギングが現れている。(図:藤崎氏)

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