GaNで変わるパワエレ機器、使いこなしの新課題に挑む

図3　駆動電圧波形 （a）はSi製IGBTを採用したインバーターで駆動した場合。リンギングはほとんどない。（b）はGaN FETを採用したインバーターで駆動した場合である。比較的大きなリンギングが現れている。（図：藤崎氏）
図3　駆動電圧波形
（a）はSi製IGBTを採用したインバーターで駆動した場合。リンギングはほとんどない。（b）はGaN FETを採用したインバーターで駆動した場合である。比較的大きなリンギングが現れている。（図：藤崎氏）

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