SiCの次を狙う「ウルトラワイドバンドギャップ半導体」の中でも、酸化ガリウムを使ったパワー半導体デバイスは産業化が最も早く進んでいる。酸化ガリウムはSiCの数倍の潜在能力を秘めており、2023年には民生電源用途での搭載が始まる見込みである。2030年には車載市場への参入も計画されている。
大電流・高耐圧で動作させられることから、パワー半導体での今後の主役と目されるSiC。既に、電気自動車（EV）や鉄道、太陽光発電用のインバーターなどでの普及が進みつつある。このSiCを脅かすかもしれない存在が台頭してきた。酸化ガリウム（Ga2O3）だ（図1）。
酸化ガリウムを使ったパワー半導体デバイスは、SiCの次を狙う「ウルトラワイドバンドギャップ（UWBG）半導体」の中でも、産業化が最も早く進んでいる。2010年ごろから酸化ガリウムのパワー半導体応用の研究が本格化した後、2022年には、ショットキーバリアダイオード（SBD）の量産化が予定されている。2023年には、このSBDが搭載された空調装置が市場投入される見込みである。民生電源用途のPFC（力率改善）回路での引き合いが強いという。
酸化ガリウムのデバイスを採用することで、「SiCと比較して（同じ条件で利用した場合）電力損失が約3分の1、値段も今後の技術開発が必要だが、チップレベルで約2分の1から3分の1にできる可能性がある」とβ酸化ガリウムのパワー半導体基板やデバイスを開発するノベルクリスタルテクノロジー（埼玉県狭山市） 社長の倉又朗人氏は言う。現在信頼性検証などは途上にあるが、「こうした点も含めて、（本格的な）実用化に向けた基礎研究は後2年で終わる」（倉又氏）とする。
さらに、2030年には、SiCの本丸ともいえるEVのモーター駆動インバーターとして搭載が進む可能性が高い。「従来はクルマへの採用は検討開始から5年はかかったが、最近は（新技術採用の競争激化から）新しいデバイスの採用のスピードが速まっている。特に、新規参入の企業はどんどん取り入れていくだろう」とα酸化ガリウムのパワー半導体基板やデバイスを開発するFLOSFIA（フロスフィア、京都市） 社長の人羅俊実氏は言う。
