PR
4/1朝まで
どなたでも有料記事が読み放題「無料開放デー」開催中!
第2世代の0.13μm BCDプロセスを開発
第2世代の0.13μm BCDプロセスを開発
[画像のクリックで拡大表示]

 韓国MagnaChip Semiconductor社は、第2世代の0.13μm BCD製造プロセス技術を開発した(ニュースリリース)。BCDプロセスは、バイポーラートランジスタとCMOSトランジスタ、DMOS(LDMOS)トランジスタを1つのチップに混載することを可能にする製造技術である。第1世代のプロセス技術と比較すると、混載可能なフラッシュメモリーの最大容量を増やした点が特徴だ。最大で64Kバイトのフラッシュメモリーを混載できる。トリミングデータなどのプログラミングコードを格納する用途などに使える。プログラマブルなパワーマネジメントIC(PMIC)や、ワイヤレス給電/充電IC、USB PD(Power Delivery)対応IC、車載機器向け電源ICなどの製造に使える。

 集積可能な素子は、前述の複数のトランジスタに加えて、ホール効果素子やバラクーター(可変容量ダイオード)、インダクター、RF CMOSトランジスタなどである。LDMOSトランジスタの耐圧は最大+40Vと高く、オン抵抗は低い。CMOSトランジスタの動作電圧は+1.5〜5.0Vに対応しており、漏れ電流を低く抑えられるという。フォトマスクの枚数は、第1世代と比べると8枚削減した。このため製造コストを抑えられるとしている。