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 米Efficient Power Conversion(EPC)社は、ゲートドライバー回路を集積したGaN FETを2製品発売した。1つは、+200V耐圧のGaN FETにゲートドライバー回路を集積した「EPC2112」である。オン抵抗は40mΩ(最大値)である。もう1つは、2個の+150V耐圧GaN FETにゲートドライバー回路を集積した「EPC2115」で、オン抵抗は88mΩ(最大値)である。ゲートドライバー回路を集積したため、伝搬遅延時間を短くすることが可能になる。この結果、変換効率を改善できるとともに、実装面積の削減や低コスト化を実現できる。2製品どちらも、実装面積は2.9mm×1.1mmと小さい。最大で7MHzスイッチングに対応する。共振型のワイヤレス充電/給電や、高周波動作のDC-DCコンバーターなどに向ける。

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