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 ルネサス エレクトロニクスは、4.9G/5G対応LTE基地局に向けた直接変調型半導体レーザー(DML:Directly Modulated Laser)「RV2X6376Aシリーズ」を発売した。AlGaInAs(アルミニウム・ガリウム・インジウムヒ素)材料を使った分布帰還型(DFB:Distributed Feedback)の半導体レーザーである。発振波長は1.3μm帯。光ファイバー通信に適用した場合、25Gビット/秒のデータ伝送速度が得られる。従って、4波長を使った波長多重方式(CWDM4)を採用することで、データ伝送速度は100Gビット/秒に達する4.9G/5G対応のLTE基地局内や、データセンター内のルーターとサーバー間の高速な光ファイバー通信に向ける。

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