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 米 Micron Technology社と米Intel社は、1Tビット/ダイと大容量なQLC(4bits/cell)タイプの第2世代 3D NANDフラッシュメモリーの出荷を始めた(MicronニュースリリースIntelニュースリリース)。64層を積層する3D NANDである。両社によれば、1Tビット/ダイは、フラッシュメモリーとしては過去最大の集積度という。

 今回、両社は、TLC(3bits/cell)タイプの第3世代3D NANDフラッシュメモリーの開発の進展も報告した。すなわち、積層数を64から96へと50%増やした。これで、業界最大の容量面積比(Gビット/mm2)を達成したという。

 QLCタイプの64層3D NANDと TLCタイプの96層3D NANDのどちらの製品にも、両社が開発したCuA(CMOS under the Array)技術を適用することで、競合品に比べてダイサイズの節約と性能の改善を実現できたとしている。

 なお、QLCタイプの64層3D NANDの価格、およびTLCタイプの96層3D NANDの価格や出荷時期などは公表されていない。また、これらを利用した両社のNVMe規格の SSDといった製品についても現時点では一切説明がなかった。