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 韓国Samsung Electronics社は、米国サンタクララで開催したプライベートイベント「Samsung Foundry Forum 2018 USA」(5月22日に開催)において、同社の先端半導体プロセスのスケジュールなどを発表した。その中で、1年ほど前には4nm世代から導入予定としていた新構造のトランジスタ(GAA(Gate All Around)構造トランジスタ)の導入が3nm世代に先送りされることが明らかになった。

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