NXP、TO-220/TO-247パッケージ封止のRFパワートランジスタ

　オランダNXP Semiconductors社は、汎用的なパッケージであるTO-220/TO-247に封止したRFパワートランジスタを2製品発売した。TO-220パッケージに封止した100W出力の「MRF101AN」と、TO-247パッケージに封止した300W出力の「MRF300AN」である。どちらもLDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）技術で製造したものだ。同社によると、「現行の高出力RFパワートランジスタ向けプラスチックパッケージは、高精度な実装技術が求められるが、今回の製品は一般的な挿入実装技術でプリント基板に搭載できる。このため実装コストを削減できる」という。ISM帯を利用する無線通信機器や、HF/VHF帯を利用する無線通信機器に向ける。